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等離子體清洗方法在太陽能硅片表面的工藝應用

      等離子體清洗方法可以清洗硅片表面的殘留物,并且其成本低,勞動量小,工作效率高。接下來詳細分析等離子清洗方法在硅片的清洗流程以及工藝參數

等離子體清洗方法

1、硅片表面殘留顆粒的等離子體清洗方法,它包括以下步驟:首先進行沖洗流程,然后進行該氣體等離子體啟輝;所用氣體選自02、Ar、 N2中的任-種;氣體沖洗流程的工藝參數設置為:腔室壓力10-40毫托,工藝氣體流量100-500sccm,時間1-5s;過程的T藝參數設置為:腔室壓力1040毫托,工藝氣體流量100-500sccm,上電極功率 250-400W, 時間1-10s;
2、等離子體清洗方法,其特征在于所用氣體為02;
3、等離子體清洗方法,其特征在于4 i體沖洗流程的工藝參數設置為:腔室壓力15毫托,工藝氣體流量300sccm,時間3s;啟輝過程的工藝參數設置為:腔室壓力15 亳托,工藝氣體.流量300sccm,. 上電極功率300W,時間Ss;
4、等離子體清洗方法,其特征在于氣體沖洗流程的工藝參數設置為:腔室壓力10-20亳托,工藝氣體流量100-300sccm,時間1-5s;啟輝過程的工藝參數設置為:(腔室壓力10-20毫托,工藝氣體流量100-300ccm,上電極功率 250-400W,時閭1-5s;
5、等離子體清洗方法,其特征在于氣體沖沈流程的I.藝參數設置為:腔室壓力15毫托,工藝體流量300ccm,時間3s;過程的工藝參數設置為:腔室壓力15亳托,工藝體流量300sccm,上電極 功率300W,時間Ss等離子清洗涉及刻蝕工藝領域,并且完全滿足去除刻蝕工藝后硅片表面殘留顆粒的清洗.
       等離子體清洗方法在刻蝕過程中,顆粒的米源很多:刻蝕用氣體如C12、HBr、CF4等都具有腐蝕性,刻蝕結束后會在硅片表面產生一定數量的顆粒:反應室的石英蓋也會在等離子體的轟擊作用下產生石英顆粒:反應室內的內襯也會在較長時間的刻蝕過程中產生金屬顆粒。刻蝕后硅片表面殘留的顆粒會阻礙導電連接,導致器件損壞。因此,在刻蝕工藝過程中對顆粒的控制很重要。

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