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CRF plasma 等離子清洗機(jī)

支持材料 測試、提供設(shè)備 試機(jī)

20年專注等離子清洗機(jī)研發(fā)生產(chǎn)廠家

等離子清洗設(shè)備為何在晶圓拋光后清洗中占有重要地位

      工藝技術(shù)和應(yīng)用條件上的區(qū)別使得目前市場上的清洗設(shè)備也有明(顯)的差異化,目前,市場上主要的清洗設(shè)備有單晶圓清洗設(shè)備、自動清洗臺和洗刷機(jī)三種。在21世紀(jì)致今的跨度上來看,單晶圓清洗設(shè)備、自動清洗臺、洗刷機(jī)是主要的清洗設(shè)備。
      單晶圓清洗設(shè)備一般是指采取旋轉(zhuǎn)噴淋的方式,用化學(xué)噴霧對單晶圓進(jìn)行清洗的設(shè)備,相對自動清洗臺清洗效率較低,產(chǎn)能較低,但有著極高的制程環(huán)境控制能力與微粒去除能力。自動工作站,也稱槽式全自動清洗設(shè)備,是指在化學(xué)浴中同時清洗多個晶圓的設(shè)備優(yōu)點(diǎn)是清洗產(chǎn)能高,適合大批量生產(chǎn),但無法達(dá)到單晶圓清洗設(shè)備的清洗精度,很難滿足在目前(頂)尖技術(shù)下全流程中的參數(shù)要求。并且,由于同時清洗多個晶圓,自動清洗臺無法避免交叉污染的弊端。洗刷器也是采取旋轉(zhuǎn)噴淋的方式,但配合機(jī)械擦拭,有高壓和軟噴霧等多種可調(diào)節(jié)模式,用于適合以去離子水清洗的工藝中, 包括鋸晶圓、晶圓磨薄、晶圓拋光、研磨、CVD等環(huán)節(jié)中,尤其是在晶圓拋光后清洗中占有重要地位。

等離子清洗機(jī)設(shè)備
      單晶圓清洗設(shè)備與自動清洗臺在應(yīng)用環(huán)節(jié)上沒有較大差異,兩者的主要區(qū)別在于清洗方式和精度上的要求,以45nm為關(guān)鍵分界點(diǎn)。簡單而言,自動清洗臺是多片同時清洗,的優(yōu)勢在于設(shè)備成熟、產(chǎn)能較高,而單晶圓清洗設(shè)備是逐片清洗,優(yōu)勢在于清洗精度高,背面、斜面及邊緣都能得到有效的清洗,同時避免了晶圓片之間的交叉污染。45nm之前,自動清洗臺即可以滿足清洗要求,在目前仍然有所應(yīng)用;而在45以下的工藝節(jié)點(diǎn),則依賴于單晶圓清洗設(shè)備達(dá)到清洗精度要求。在未來工藝節(jié)點(diǎn)不斷減小的情況下,單晶圓清洗設(shè)備是目前可預(yù)測技術(shù)下清洗設(shè)備的主流。
      等離子清洗設(shè)備是貫穿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要環(huán)節(jié),用于清洗原材料及每個步驟中半成品上可能存在的雜質(zhì),避免雜質(zhì)影響成品質(zhì)量和下游產(chǎn)品性能,在單晶硅片制造、光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵制程及封裝工藝中均為必要環(huán)節(jié)。


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