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CRF plasma 等離子清洗機

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半導體等離子蝕刻機在真空環境下的原理優勢

半導體等離子蝕刻機在真空環境下的原理優勢:
       在光刻技術中,半導體表面會出現殘膠,這就需要一個好的方法進行處理,將殘膠清除的同時不會對產品造成損傷,等離子蝕刻機就是這樣的一個設備,通過等離子體進行處理,效果非常不錯。
等離子刻蝕機去膠原理,1種干式的去膠方式進行產品放入設備中,通過真空泵抽空氣體,使等離子刻蝕機保持真空狀態,這時候將工藝氣體放入設備中進行反應,產生活性等離子體,與表面的殘膠發生反應;光刻膠的基本成分是碳氫化合物,在反應中,這些化合物會消失,產生co、CO2、水等。這些成分會被真空泵抽走,表面清潔就完成了。

半導體等離子蝕刻機

       半導體等離子蝕刻機去膠優勢在過去,很多工廠都采用的濕式處理法,但是隨著技術不斷變革,產品不斷升級,處理要求也隨之升級干式法逐步取代了濕式處理。
       等離子干刻機的去膠只需氣體的參與,無需化學試劑的浸泡,無需烘干,整個處理環保干凈,清洗過程可控性非常強,而且不會對周圍環境以及人員造成不良的影響;這種工藝還能夠降低成本,提高產品的良品率以及生產效率,所以設備在半導體制程的各類方面都廣泛的得到了應用。
       殘膠去除在半導體制造過程中非常重要。清潔是否干凈徹底,表面有無破損等。都會影響后續的工藝,進而影響整體制造和性能,對良品率有重要影響。可見一個好的處理工藝,好的設備是可以影響產品的,半導體等離子蝕刻機是可以提高公司的利潤,降低成本的。

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