CRF等離子蝕刻機在清洗晶圓光刻膠工藝的微蝕刻應(yīng)用:
       半導體設(shè)備中，對各電子元件的產(chǎn)品質(zhì)量品控和穩(wěn)定性標準較高，某些顆粒污染物質(zhì)和殘渣均會對電子元件造成干擾，CRF等離子蝕刻機的干試處理在對半導體的功能增強上擁有明顯的優(yōu)點，下面我們主要根據(jù)倒裝集成電路芯片及其晶圓表層光刻膠的清除2個層面來做好詳細介紹。

       伴隨著倒裝集成電路芯片技術(shù)應(yīng)用的出現(xiàn)，干試的等離子清洗就與倒裝集成電路芯片相互促進，成為了增強其生產(chǎn)量的關(guān)鍵功能。根據(jù)對集成ic及其封承載板做好等離子體清洗設(shè)備處理，不但可以取得超干凈的焊接工藝表層，還能夠極大水平上增強焊接工藝表層的活性，合理有效避免虛焊及其極大減少斷層或空洞，增強填充物的邊界相對高度和包容性，持續(xù)改善打包封裝的拉伸強度，降低因各種不同原材料的膨脹系數(shù)而在表面間產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)的剪切應(yīng)力，加強產(chǎn)品的穩(wěn)定性及其增強使用期限。
       CRF等離子蝕刻機在處理晶圓表層光刻膠時，CRF等離子蝕刻機清理可以清除表層光刻膠和其他有機化合物，還可以根據(jù)等離子體活化和粗化功能，對晶圓表層做好處理，能合理有效增強其表層侵潤性。相較于傳統(tǒng)式的濕法化工方式，等離子體清洗設(shè)備干試處理的可操控性更強，統(tǒng)一性更加好，同時對基材沒有危害。
       在做好CRF等離子蝕刻機操控時，其射頻電源所造成的熱運動會使產(chǎn)品質(zhì)量小、運作速率快的帶負電自由電子迅速抵達負極，而正離子則是鑒于產(chǎn)品質(zhì)量大、速度比較慢而難以在相同時間抵達負極，隨后就會在負極附近構(gòu)成帶負電的鞘層，正離子在這個鞘層的加快之下，就會筆直的轟擊在硅片的表層，隨后使得表層的化學反應(yīng)加快，而且會使得反應(yīng)生成物脫離，因而其離子注入速度極快，離子的轟擊也會使各向異性離子注入得以實現(xiàn)。