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CRF plasma 等離子清洗機

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純乙烷在CRF等離子體表面處理儀在低溫常壓下作用下可發生脫氫反應

純乙烷在CRF等離子體表面處理儀在低溫常壓下作用下可發生脫氫反應:
       在大氣壓脈沖CRF等離子體表面處理儀電暈條件下,C2H6轉化率和C2H2收率隨能量密度增加而不斷增加,C2H4收率略有增加,而 CH4收率隨等離子體能量密度的增加變化不大。當等離子體能量密度為860kJ/mol 時,C2H6轉化率為23.2%,C2H4和C2H2收率之和為11.6%。一般認為在流動式等離子體反應器中,當反應氣體流速一定時,體系中高能電子密度及其平均能量主要決定于等離子體能量密度。等離子體功率增加,體系內高能電子密度及其平均能量增大,高能電子與C2H6分子的彈性和非彈性碰撞概率及所傳遞能量增加, C2H6的C-H鍵及C-C鍵斷裂可能性增大,其斷裂所形成的自由基濃度亦隨之增大,自由基復合形成產物的概率隨之增大。因此C2H6轉化率及C2H2收率隨著CRF等離子體表面處理儀功率增加呈上升趨勢。C2H4收率和CH4收率隨等離子體注入功率的增加上升趨勢不明顯可能與C2H4和CH4是反應的初級反應產物,并且C2H2穩定性較高有關。

等離子體表面處理儀

化學鍵 解離能/(kJ/mol) 解離能/(eV/mol)
CH3—CH3 367.8 3.8
C2H5—H 409.6 4.2
CH2=CH2 681.3 7.1
C2H3—H 434.7 4.5
CH≡CH 964.9 10.0
C2H—H 501.7 5.2
        純C2H6在CRF等離子體表面處理儀條件下轉化反應的主要氣相產物是:C2H4、C2H2、H2和 CH4,固體產物是積碳。

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