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CRF plasma 等離子清洗機

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等離子體的這些發展前景不可估量

      現階段普遍應用的工藝主要為等離子體清洗工藝,等離子體處理工藝簡單對環境友好,清洗效(果)明(顯),針對盲孔結構很有效。等離子體清洗是指高度活(化)的等離子體在電場的作用下發生定向移動,與孔壁的鉆污發生氣固化學反應,同時生成的氣體產物和部分未發生反應的粒子被抽氣泵排出。等離子體在HDI板盲孔清洗時一般分為三步處理,第壹階段用高純的N2產生等離子體,同時預熱印制板,使高分子材料處于一定的活(化)態;第二階段以O2、CF4為原始氣體,混合后產生O、F等離子體,與丙烯酸、PI、FR4、玻璃纖維等反應,達到去鉆污的目的;第三階段采用O2為原始氣體,生成的等離子體與反應殘余物使孔壁清潔。

等離子體

      在等離子體清法過程中,除發生等離子體化學反應,等離子體還與材料表面發生物理反應。等離子體粒子將材料表面的原子或附著材料表面的原子打掉,有利于清洗蝕刻反應。隨著材料和技術的發展,埋盲孔結構的實現將越來越小,越來越精細化;在對盲孔進行電鍍填孔時,使用傳統的化學除膠渣方法將會越來越困難,而等離子體處理的清法方法能夠很好地克服濕法除膠渣的特點,能夠達到對盲孔以及微小孔的較好清洗作用,從而能夠保證在盲孔電鍍填孔時達到良好的效(果)。
      電子元器件、汽車零部件等工業元件在生產過程中由于交叉污染、自然氧化、焊劑等,表面會形成各種污物,這些污染物會影響元件在后續生產中的焊接、粘接等相關工藝質量,降低成品可靠性和合格率。等離子體體處理通過化學或物理作用對工件表面進行處理,反應氣體電離產生高活性反應離子,與表面污染物發生化學反應進行清潔。需要根據污染物的化學成分對反應氣體進行選擇。以化學反應為主的等離子體清洗速度快,選擇性好,對有機污染物清洗效果較好。表面反應以物理作用為主的等離子體清洗很常用的是采用氬氣,不會產生氧化副產物,刻蝕作用各向異性。一般情況下等離子體表面改性過程中,化學反應和物理作用是共同存在的,從而得到較好的選擇性、均勻性和方向性。
       由于工業領域精密化、微小化的發展方向,等離子體表面改性技術以其精細清潔、無損改性的優勢在半導體行業、芯片產業、航空航天等高新技術行業也會有越來越重要的應用價值。半導體封裝行業,包括集成電路、分立器件、傳感器和光電子的封裝,通常會用到銅材質的引線框架,為了提高鍵合和封塑的可靠性,一般會把銅支架經過幾分鐘的等離子清洗機處理,來清除表面的有機物、污染物,增加其表面的可焊性和粘接性。


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