隨著等離子清洗設(shè)備的普及，由于等離子體結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性，常被用于清洗，在接觸到物體的表面時，會發(fā)生各種復(fù)雜的反應(yīng)，主要有分解。一種是等離子體與物體表面的碰撞，這種碰撞產(chǎn)生的物理反作用。應(yīng)該說，等離子體與物體表面發(fā)生的各種化學(xué)反應(yīng)。各種等離子清洗的主要反應(yīng)是不同的，不受氣體的刺激。構(gòu)成非常重要，所用氣體，激發(fā)頻率，以及清洗時的主要反應(yīng)。目前半導(dǎo)體封裝主要采用氬、氧、氫等氣體。也可將一定比例的氬氫混合氣作為激發(fā)氣，實現(xiàn)對晶片、引線架、襯底表面的清洗，去除被清洗物。聚合物，金屬氧化物，有機(jī)物污染等等。

       實驗結(jié)果表明，用直流等離子體、微波等離子體儀型等離子體裝置和射頻等離子體對目標(biāo)表面有機(jī)物進(jìn)行3種不同的清洗效果，分別清洗銅引線盒、芯片，對照清潔效果。各等離子設(shè)備的清洗參數(shù)不同，顯示了優(yōu)化參數(shù)。一種由96%氬-4%氫組成的混合氣體，在電弧電流為40A時，采用直流激發(fā)。射頻等離子清洗每一次都要清洗產(chǎn)品、直流等離子和微型。波形等離子體每次清洗時，產(chǎn)品應(yīng)放置在20個規(guī)格的容器中。各種等離子清洗參數(shù)設(shè)定，清潔前后水滴角對比：

1、點(diǎn)滴測量，確認(rèn)清潔效果，使用滴角測試裝置。
2、自動測定JCY-3值及清洗前后的水滴角及清洗前后的水滴角。
3、在同一位置測量清潔后的引線框，每種類型的等離子。
4、每10次子清洗，測量數(shù)據(jù)，清潔前后。
5、射頻式等離子體清洗后液滴角的變化較小。
6、水滴角在直流等離子體清洗中是最大的，表明射頻等離子體對引線框基島的清洗活性優(yōu)于直流等離子體清洗。與RF射頻清洗一樣，微波等離子體清洗也需要物理方法。
      在化學(xué)反應(yīng)過程中，在引線框架表面的有機(jī)物會與金發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。氧化層的清除更為徹底。不同的等離子清洗前后水滴角的比較。清潔前后的晶片焊盤元素含量對比采用俄歇電子能譜(AES)對比清潔前后。洗滌液表面元素含量也能確認(rèn)洗滌效果。晶片貼裝完畢后，清潔劑使用不同的清潔劑，然后進(jìn)行鍵合。